ROHM blue GaN LEDs
" (129035)ROHM（罗姆）LED选型指南（英文）
ROHM's chip LEDs are designed for automatic surface mount processes and are available in a wide variety of package sizes (from 1.0×0.6mm. ROHM offers a wide variety of through-hole LEDs, including lamps that can be automatically mounted onto the PCB as well as high brightness units suitable for public outdoor displays.~~~~~~ROHM的芯片LED设计用于自动表面安装工艺，有多种封装尺寸（从1.0×0.6mm）可供选择。ROHM提供多种通孔LED，包括可自动安装在PCB上的灯具以及适用于公共户外显示器的高亮度单元。
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ROHM（罗姆）IPM型号对照列表
该资料是IPM型号对照列表，里面有ROHM的型号以及对照其他品牌的型号。
氮化镓PowerMAX相位组合HPA系统室内氮化镓SSPA机箱
GaN PowerMAX系列室内GaN固态功率放大器（SSPA）机架，采用氮化镓（GaN）放大器技术，提供高功率输出和频率稳定性。系统具备高可靠性，支持N+1冗余设计，所有活动模块均可热插拔。系统支持多种频率波段和功率级别，具有自动增益控制、真正的均方根（rms）输出功率测量等功能，适用于远程通信系统。
GNC1007TA GaN Power Supply GaN device advantages
防止氮化镓器件VHF振荡
本文探讨了氮化镓（GaN）器件在高频开关应用中防止寄生振荡的问题。文章详细分析了寄生振荡的产生原因，包括寄生LC网络、正反馈增益等，并针对GaN器件的特性，如快速dv/dt和di/dt、高跨导等，提出了防止振荡的方法。文章还介绍了优化PCB布局、使用铁氧体 bead、添加RC snubber等具体措施，并通过实验验证了这些方法的有效性。
氮化镓FET产品组合
本资料主要介绍了GaN（氮化镓）功率器件的产品组合和应用优势。资料中列举了不同型号的GaN器件，包括其关键参数如Vds、Rds(on)eff、Id等，并展示了其封装类型和变体。此外，资料还强调了GaN在提高系统效率、减小尺寸和重量、降低系统成本等方面的优势，并介绍了Transphorm公司在GaN领域的领先地位和产品路线图。
GH25氮化镓技术
GaN技术资料主要介绍了GH25 GaN HEMT MMIC工艺，该工艺适用于高达20GHz的高功率放大。GH25工艺优化了功率密度和热散耗，适用于电信、卫星通信、电子战和雷达等领域。资料还详细列出了工艺的主要特性，包括阈值电压、漏极电流、跨导、击穿电压等，并提供了设计套件（PDK）的相关信息。此外，资料还展示了客户对GH25工艺的正面评价和成功案例。
氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。
GH15氮化镓技术
GH15 GaN工艺针对高功率、高PAE和高线性度优化，适用于30GHz，功率密度达到3.5W/mm。该MMIC工艺包含MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。GH15工艺适用于Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。工艺设计套件（PDK）包括非线性电热模型、噪声模型、二极管和开关模型、无源模型，以及相关库元素。
氮化镓晶体射频器件数据表
本文探讨了氮化镓（GaN）在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的应用优势。文章重点介绍了GaN作为高效kV级器件的潜力，包括其高性能、高温操作能力、器件并联以扩展功率等。此外，文章还讨论了GaN在电机驱动系统中的应用，以及其在提高系统效率方面的优势。总结来说，GaN在提高电动汽车和混合动力汽车性能方面具有显著潜力。
氮化镓技术：0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路工艺
GaN技术资料主要介绍了GH25氮化镓工艺，该工艺适用于高达20GHz的高功率放大。GH25工艺支持高功率密度，达到4.5W/mm，并包含MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属层。该工艺适用于设计高功率放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括电信、卫星通信、电子战和雷达。资料还提供了工艺设计套件（PDK）和客户评价。
GNE1040TB 150V E型氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了ROHM公司生产的150V E-mode GaN HEMT（GNE1040TB）产品。该产品具有150V的VDSS、40mΩ的RDS(on)和2.0nC的Qg，适用于半桥拓扑、同步降压或升压、AC/DC转换器（次级侧）、D类音频放大器和红外LED、LD驱动器等应用。产品采用DFN5060封装，具有高栅极电压最大额定值8V和非常高的开关频率。资料还提供了产品的内部电路图、封装规格、绝对最大额定值和注意事项。
0.15μm氮化镓Hemt工艺
GH15 GaN工艺针对高功率、高PAE和高线性度优化，适用于35GHz。结合氮化镓功率密度和碳化硅散热基板，在30GHz时功率密度超过3W/mm。该MMIC工艺包含MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。工艺主要特性包括Vt、Idss、Gm、VdsDC、Ft、Fmax、MIM密度、金属电阻、通孔等。
动力冲浪大师氮化镓驾驭氮化镓动力新浪潮
本文探讨了氮化镓（GaN）技术在能源管理领域的应用，特别是与硅基晶体管相比的优势。文章介绍了STMicroelectronics的MasterGaN平台，该平台集成了GaN晶体管和驱动器，提高了效率、功率密度和设计灵活性。文章还详细介绍了MasterGaN的不同型号及其在电信、服务器电源、通信基础设施、能源存储系统和太阳能DC-AC转换器等领域的应用。最后，文章概述了MasterGaN产品线的未来发展方向。
EPC看好氮化镓板块
EPC对GaN行业持乐观态度，尽管面临地缘政治挑战和化合物半导体行业的变化。EPC的GaN工艺不依赖镓，而是使用TMGa作为制造GaN的原料，TMGa不在中国的出口限制清单上。EPC正在努力从更多来源确保TMGa的供应，以增加供应链的稳定性。Infineon收购GaN Systems的计划可能重塑供应链，但EPC仍致力于其技术成熟和行业标准的建立。GaN的市场份额预计将在2028年增长，尽管其市场份额相对较小，但EPC认为GaN具有巨大的潜力。
氮化镓与工业4.0A
本文探讨了氮化镓（GaN）技术在工业4.0中的应用及其对行业的影响。文章首先概述了工业革命的四个阶段，接着分析了工业4.0的驱动因素、挑战和机遇。重点介绍了GaN技术在电机和电机驱动、机器人、数据中心和能源方面的应用，强调了其在提高能源效率、设计灵活性、精确控制和自主性方面的优势。最后，文章呼吁企业采取行动，以利用GaN技术推动工业发展。
氮化镓技术综述
本文概述了氮化镓（GaN）技术在高效功率转换中的应用。文章首先回顾了硅功率MOSFET的发展历程，指出随着硅器件接近理论极限，其性能提升速度放缓。随后，文章介绍了GaN晶体管的起源和发展，分析了GaN材料在电学性能上的优势，如高电子迁移率、高击穿电压等。文章还详细阐述了GaN晶体管的基本结构、制造工艺以及与硅MOSFET的比较，最后展望了GaN技术在功率转换领域的应用前景。
氮化镓VS硅SmackDown
本文探讨了氮化镓（GaN）功率器件在电力电子领域的应用和发展。文章指出，GaN器件在效率、功率密度和热管理方面具有显著优势，尤其是在与硅基MOSFET相比时。文章还讨论了GaN器件的集成、成本和未来发展趋势，强调GaN技术将在电力电子领域发挥越来越重要的作用。
The GaN Effect – How GaN is Changing the Way We Live
GaN TECHNOLOGY
eGaN® FETs Deliver the Performance of GaN at the Price of Silicon
医用氮化镓技术
eGaN® FETs和ICs在医疗技术领域的应用主要包括：提高成像设备的扫描速度和分辨率，实现无线充电植入式设备，以及用于医疗机器人的高精度电机控制。这些技术通过GaN的高频切换能力、小尺寸和热效率，为医疗设备提供更高效、更精确的性能。
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氮化镓集成实现更高的DC-DC效率和功率密度
本文介绍了GaN（氮化镓）技术在提高DC-DC转换效率与功率密度方面的应用。文章重点阐述了eGaN® FET（增强型氮化镓场效应晶体管）的性能优势，包括更高的效率、更小的尺寸和更低的成本。文章还展示了eGaN FET在无线电力传输、激光雷达和包络跟踪等领域的应用潜力，并讨论了GaN技术在未来电力转换市场中的发展趋势。
氮化镓®FET的热管理
本文介绍了eGaN® FET的热管理策略，针对其高功率密度、快速开关和低导通电阻的特点，分析了热管理的重要性。文章详细阐述了通过优化PCB设计和背面冷却来提高热传导的方法，包括使用热通路、热扩散器和散热器等。此外，还讨论了热界面材料（TIM）的选择和热仿真结果，以验证所提出的热管理策略的有效性。
Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification Design Guide
用于氮化镓系统的氮化镓晶体管的EZDrive®功率级解决方案
本文介绍了GaN Systems的EZDrive电路解决方案，用于驱动GaN晶体管。该方案通过简单的电路设计，实现12V驱动信号对6V GaN晶体管的驱动，并可通过外部电阻控制开关速率以优化EMI。文章详细讨论了GaN离散与集成设计的比较，以及EZDrive电路在不同拓扑结构中的应用，如Flyback、Half Bridge和Boost PFC。此外，还提供了相关测试数据和布局建议，以验证和优化电路性能。
EPC氮化镓®FET的热性能
本文探讨了EPC eGaN® FETs的热性能，包括热阻测量方法和结果。文章详细介绍了如何通过测量器件导通电阻（RDS(on)）来评估结温（TJ），并提供了具体的测试步骤和数据分析。此外，文章还讨论了不同热阻规格（RθJB、RθJC、RθJA）的定义和测量方法，以及如何通过这些参数评估EPC eGaN® FETs的热性能。
RC65D270E GaN 650V GaN HEMT
RC65D270B GaN 650V GaN HEMT
大功率户外氮化镓固态功率放大器
Teledyne Paradise Datacom推出新型高功率户外固态功率放大器，采用氮化镓（GaN）技术，实现高功率密度和高效能。产品具备远程控制功能，适用于多种频段，包括L、S、C、X和Ku波段，适用于户外环境。
SUPERIORIOR GaN DTQ13N65GS-90mΩ,650V GaN HEMT
CFKQ65GR050 650V氮化镓场效应晶体管
该资料详细介绍了CFKQ65GR050这款650V GaN FET的关键性能参数、封装与内部电路、描述与应用、订购信息、标记信息、最大额定值、热特性、设备特性以及典型电气和热特性。该产品具有高重复输入电压容忍度、快速开关速度、低Qg和简单栅极驱动等特点，适用于UPS和太阳能等应用。
CFKQ65GR035 650V氮化镓场效应晶体管
该资料详细介绍了CFKQ65GR035型号的650V GaN FET（氮化镓场效应晶体管）的关键性能参数、封装信息、应用领域和电路实现。该器件具有高重复输入电压容忍度、快速开关速度、低导通电阻和低开关损耗等特点，适用于高效率、高频的半桥降压/升压、推挽PFC电路或逆变器电路。
SUPERIOR GaN TP44200SG – 180mΩ, 650V GaN HEMT
DX65C130 E-MODE 650V，15A，130mΩ氮化镓高电子迁移率晶体管
DX65C130是一款650V、15A、130mΩ的增强型氮化镓HEMT功率开关，具有高开关频率、快速可控的下降和上升时间以及零反向恢复损耗等特点。该产品适用于快速充电、LED照明驱动、功率因数校正、LLC转换器和无线电力传输等领域。
RC65D600E GaN 650V GaN HEMT
DX65C400 E-MODE 650V，7.5A，400mΩ氮化镓高电子迁移率晶体管
DX65C400是一款650V、7.5A、400mΩ的增强型氮化镓HEMT功率开关，具有高开关频率、快速可控的下降和上升时间以及零反向恢复损耗等特点。该产品适用于快速充电、LED照明驱动、功率因数校正、LLC转换器和无线电力传输等领域。
GaN on Si
ROHM（罗姆）语音合成LSI选型指南（英文）
Speech Synthesis LSI Offers a variety of products with sound technologies such as audio compression / decompression, acoustic processing to digital filters and amp, as well as peripheral technologies such as P2ROM ™ and flash memory. ROHM provides products and support that can respond to customers' desire to produce sound.~~~~~~语音合成LSI提供多种声音技术产品，如音频压缩/解压缩、数字滤波器和放大器的声音处理以及P2ROM等外围技术™ 和闪存。ROHM提供的产品和支持能够响应客户的声音需求。
ROHM（罗姆）IGBT选型指南（英文）
ROHM's IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) contribute to higher efficiency and energy savings for a wide range of high voltage and high current applications.ROHM's IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters.~~~~~~ROHM的IGBT（绝缘栅双极晶体管）有助于在广泛的高压和大电流应用中实现更高的效率和节能。ROHM的IGBT有助于在各种高压大电流应用中提高效率和节能，包括电动汽车（EV）、火车、空调、便携式焊机、DC/AC逆变器。
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ROHM（罗姆）与世强控股的代理协议
In July 2018,ROHM SEMICONDUCTOR HONG KONG CO.,LTD and Sekorm Limited signed a Non-exclusive Distributorship Agreement.
如何在1小时内用氮化镓进行设计？
本文档提供了一种基于GaN（氮化镓）的AC-DC设计指南，旨在帮助读者在不到一小时内完成设计。内容包括选择合适的拓扑结构、处理设计中的挑战和解决方案。文档详细介绍了不同类型的开关和变压器技术，如IGBT、MOSFETs和GaN，以及桥式整流器和PFC拓扑。此外，还提供了关于驱动器、电感器、变压器、组件、噪声、PCB布局等方面的挑战和解决方案。最后，介绍了Telcodium公司提供的模块和工具，以简化设计过程。
RKX-EVK-001和Rohm EVK EVB Rohm EVK软件用户指南
本资料为ROHM EVK软件用户指南，介绍了ROHM EVK软件的安装、配置和使用方法。该软件用于评估ROHM产品，包括传感器、LED驱动器和PMIC等。指南详细说明了如何连接RKX-EVK-001评估板和设备，如何使用图形用户界面进行设备注册值检查和操作，以及如何监控和记录实时测量数据。此外，还提供了软件界面元素、固件更新和常见问题解答等内容。
ACPL-P346 GaN Systems GaN E-HEMT GS66508T Half Bridge Evaluation Board
氮化镓可靠性和寿命预测：第14阶段
本报告详细探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性和寿命预测，重点关注了器件在各种条件下的失效机制。报告介绍了通过加速测试来预测器件寿命的策略，并分析了电压、温度、电流等关键应力条件对GaN器件的影响。此外，报告还讨论了动态RDS(on)的内在机制，以及如何通过物理模型来预测GaN器件在不同工作条件下的可靠性。
氮化镓产品静电放电试验结果
本报告记录了Cree公司不同型号氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）产品的静电放电（ESD）测试结果，包括人体模型（HBM）和电荷器件模型（CDM）的可靠性测试。报告描述了Cree公司用于认证ESD合格产品的测试方法和标准。测试产品包括CGH40010F至CGHV96050F2等型号。测试结果显示，这些产品在ESD-HBM和ESD-CDM测试中均表现出良好的抗静电放电能力，符合相应的分类标准。
氮化镓可靠性和寿命预测：第16阶段可靠性报告
本报告详细探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性，包括失效机制、测试方法以及在实际应用中的表现。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用，并提供了预测系统寿命的指导。此外，报告还分析了不同应用（如太阳能、DC-DC转换和激光雷达）中GaN器件的可靠性，并提供了优化焊接钢网设计以提高可靠性的方法。
Optical Sensors from ROHM Semiconductor
电脑游戏电源中的650 V氮化镓
CORSAIR公司于2018年初推出了AX1600i 1.6 kW电源供应器，采用Transphorm的高压GaN FETs，实现更高的效率和功率输出。与AX1500i相比，AX1600i在相同价格下提供更高的效率和功率，同时降低系统成本和封装尺寸，并保持相同的散热性能，提供10年保修。
650 V氮化镓传导冷却电源
Marotta Controls为提升其国防部门电源供应系统性能，采用650 V GaN器件替代传统硅MOSFET。GaN器件在硬开关拓扑结构中显著降低损耗，实现无风扇传导冷却，系统尺寸减小，功率效率大幅提升，频率提高两倍。
SiC上氮化镓：5G白纸的最佳解决方案
本文探讨了5G网络对无线行业带来的挑战，并阐述了为什么在5G宏站和小型基站的技术决策中，氮化镓（GaN）硅碳化物（SiC）半导体是最佳选择。文章分析了5G对带宽、频率范围和基站尺寸的新要求，并比较了GaN SiC与GaN Si和LDMOS在性能、效率和成本方面的优势。此外，文章还介绍了Wolfspeed在GaN SiC技术方面的领先地位和其在关键应用中的可靠性。
氮化镓HB EVB松下PGA26E07BA
该资料为一份关于GaN HB EVB元器件的修订记录，记录了元器件的型号、ECO编号、修订版本等信息。资料中包含了元器件的技术参数、设计者、日期、审核和发布日期等关键信息。
Electronic Mall
Integrated Circuits
Discrete Components
Connectors & Structural Components
Assembly UnitModules & Accessories
Power Supplies & Power Modules
Electronic Materials
Instrumentation & Test Kit
Electrical Tools & Materials
Mechatronics
Processing & Customization
